Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN1150UFB-7B

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN1150UFB-7B
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Πακέτο	X1-DFN1006-3
Σε απόθεμα	1191129 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018 Diodes Environmental Compliance Cert DMN1150UFB

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000
$0.171	$0.128	$0.073	$0.048	$0.037	$0.032	$0.029

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 1191129 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±6V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	X1-DFN1006-3
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 1A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	500mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	3-UFDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	106 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	12 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1.41A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN1150