Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN2005LP4K-7-52

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN2005LP4K-7-52
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Πακέτο	X2-DFN1006-3
Σε απόθεμα	1064599 pcs
Φύλλο δεδομένων	DMN2005LP4K

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000
$0.04

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 1064599 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7-52 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 100µA
Vgs (Max)	±10V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	X2-DFN1006-3
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 10mA, 4V
Έκλυση ενέργειας (Max)	400mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	3-XFDFN
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-65°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	37.1 pF @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN2005