DMN6010SCTBQ-13

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN6010SCTBQ-13
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Πακέτο	TO-263AB (D²PAK)
Σε απόθεμα	87217 pcs
Φύλλο δεδομένων	Diodes Environmental Compliance Cert DMN6010SCTBQ

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

800	1600	2400	5600
$0.636	$0.527	$0.491	$0.473

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 87217 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN6010SCTBQ-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-263AB (D²PAK)
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	5W (Ta), 312W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2692 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	46 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	128A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN6010