ZXMN2A02N8TA

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	ZXMN2A02N8TA
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
Πακέτο	8-SO
Σε απόθεμα	5228 pcs
Φύλλο δεδομένων	ZXMN2A02N8 Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021 Diodes Environmental Compliance Cert Mult Devices EOL 05/Feb/2019 Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 5228 κομμάτια του Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)	±12V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SO
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 11A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.56W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	18.9 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	ZXMN2