FCPF850N80Z

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FCPF850N80Z
Κατασκευαστής	Fairchild Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Πακέτο	TO-220F
Σε απόθεμα	6279 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 6279 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FCPF850N80Z σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 600µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220F
Σειρά	SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850mOhm @ 3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	28.4W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3 Full Pack
Πακέτο	Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1315 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	29 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FCPF850