FDD4N60NZ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FDD4N60NZ
Κατασκευαστής	Fairchild Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Πακέτο	TO-252, (D-Pak)
Σε απόθεμα	6299 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 6299 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDD4N60NZ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-252, (D-Pak)
Σειρά	UniFET-II™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	114W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	10.8 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	3.4A (Tc)