FDMS3669S
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDMS3669S |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Πακέτο | 8-PQFN (5x6) |
| Σε απόθεμα | 118132 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 352 |
|---|
| $0.346 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 118132 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDMS3669S σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-PQFN (5x6) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V |
| Ισχύς - Max | 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Bulk |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 24nC @ 10V, 34nC @ 10V |
| FET Χαρακτηριστικό | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc) |
| Διαμόρφωση | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDMS3669 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDMS3669S-SN00345
MOSFET 2N-CH 30Vonsemi -
FDMS3660S-F121
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFNonsemi -
FDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56onsemi -
FDMS3668S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDMS3668S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56onsemi -
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDMS3662
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFNonsemi -
FDMS3662
MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFNonsemi -
FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFNonsemi -
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFNonsemi -
FDMS3D5N08LC
MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFNonsemi -
FDMS3672
FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TRFairchild Semiconductor -
FDMS3660S
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56onsemi -
FDMS3686S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56onsemi -
FDMS3664S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56onsemi -
FDMS3660S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDMS3672
MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLPonsemi -
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFNonsemi -
FDMS3664S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor