FDN308P
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDN308P |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Πακέτο | SOT-23-3 |
| Σε απόθεμα | 5904 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 5904 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDN308P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-23-3 |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 500mW (Ta) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 341 pF @ 10 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 20 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDN304PZ
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3onsemi -
FDN028N20
MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3onsemi -
FDN337N-F169
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3onsemi -
FDN335N
SOT-23 MOSFETS ROHSUMW -
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3onsemi -
FDN304P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN335N
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3onsemi -
FDN302P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN304PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN304P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3onsemi -
FDN302P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3onsemi -
FDN306P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3onsemi -
FDN336P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3onsemi -
FDN336P
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3onsemi -
FDN335N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN327N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN308P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3onsemi -
FDN336P-NL
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3onsemi