FDN363N
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDN363N |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Πακέτο | SuperSOT™-3 |
| Σε απόθεμα | 569847 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1664 |
|---|
| $0.069 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 569847 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDN363N σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SuperSOT™-3 |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 500mW (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3Fairchild Semiconductor -
FDN5618P_G
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3onsemi -
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3onsemi -
FDN537N
MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3onsemi -
FDN371N
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3onsemi -
FDN360P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN359BN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3onsemi -
FDN359AN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3onsemi -
FDN361BN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN5618P-B8
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3onsemi -
FDN371N
2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,Fairchild Semiconductor -
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3onsemi -
FDN5630-B8
FET 60V 1.0 MOHM SSOT3onsemi -
FDN360P-NBGT003B
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3onsemi -
FDN358P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3onsemi -
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3Fairchild Semiconductor -
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3onsemi -
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3onsemi -
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3onsemi