FQAF10N80
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQAF10N80 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF |
| Πακέτο | TO-3PF |
| Σε απόθεμα | 71694 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 166 |
|---|
| $0.638 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 71694 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FQAF10N80 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-3PF |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 113W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-3P-3 Full Pack |
| Πακέτο | Tube |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 800 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQAF13N80
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PFonsemi -
FQA9N90C
MOSFET N-CH 900V 9A TO3Ponsemi -
FQAF12P20
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PFFairchild Semiconductor -
FQA9P25
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3Ponsemi -
FQAF11N90C
MOSFET N-CH 900V 7A TO3PFonsemi -
FQAF14N30
MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PFFairchild Semiconductor -
FQA9N50
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3Ponsemi -
FQA9N90-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PFFairchild Semiconductor -
FQA9N90-F109
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PNonsemi -
FQAF14N30
MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PFonsemi -
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PFonsemi -
FQA9P25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PFonsemi -
FQA9N90
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQA9N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 9A TO3Ponsemi -
FQA9N50
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PFairchild Semiconductor -
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PFonsemi -
FQAF12P20
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PFonsemi -
FQAF12N60
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PFonsemi