FQI50N06LTU
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQI50N06LTU |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| Πακέτο | I2PAK (TO-262) |
| Σε απόθεμα | 82672 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 212 |
|---|
| $0.57 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 82672 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FQI50N06LTU σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I2PAK (TO-262) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 26.2A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.75W (Ta), 121W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Πακέτο | Tube |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 52.4A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQI4N90TU
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAKonsemi -
FQI4N20TU
MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAKonsemi -
FQI5N15TU
MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAKonsemi -
FQI5N20LTU
MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAKonsemi -
FQI5N30TU
MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAKFairchild Semiconductor -
FQI50N06LTU
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAKonsemi -
FQI4N90TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4Fairchild Semiconductor -
FQI4N25TU
MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAKonsemi -
FQI5N30TU
MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAKonsemi -
FQI50N06TU
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAKonsemi -
FQI4N25TU
MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAKFairchild Semiconductor -
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAKonsemi -
FQI5N20TU
MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAKonsemi -
FQI5N40TU
MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAKonsemi -
FQI5N20TU
MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAKFairchild Semiconductor -
FQI5N15TU
MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAKFairchild Semiconductor -
FQI50N06TU
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAKFairchild Semiconductor -
FQI4P40TU
MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAKonsemi -
FQI4P40TU
MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAKFairchild Semiconductor -
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAKFairchild Semiconductor