2N7000,126

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	2N7000,126
Κατασκευαστής	NXP Semiconductors / Freescale
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
Πακέτο	TO-92-3
Σε απόθεμα	6406 pcs
Φύλλο δεδομένων	2N7000 Datasheet

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP Semiconductors / Freescale.Έχουμε τα 6406 κομμάτια του NXP Semiconductors / Freescale 2N7000,126 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-92-3
Σειρά	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	830mW (Ta)
Συσκευασία	Tape & Box (TB)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Αλλα ονόματα	2N7000 AMO 2N7000 AMO-ND 934003460126
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60V
Λεπτομερής περιγραφή	N-Channel 60V 300mA (Tc) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	300mA (Tc)