A2V09H300-04NR3
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | A2V09H300-04NR3 |
---|---|
Κατασκευαστής | NXP USA Inc. |
Λεπτομερής περιγραφή | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Πακέτο | OM-780G-4L |
Σε απόθεμα | 1144 pcs |
Φύλλο δεδομένων | All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertOak Hill Fab Radio 16/Jul/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
250 |
---|
$40.236 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 1144 κομμάτια του NXP USA Inc. A2V09H300-04NR3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - Test | 48 V |
Τάση - Ονομαστική | 105 V |
Τεχνολογία | LDMOS |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | OM-780G-4L |
Σειρά | - |
Ισχύς - εξόδου | 53dBm |
Συσκευασία / υπόθεση | OM-780G-4L |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Θόρυβος Εικόνα | - |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Κέρδος | 19.7dB |
Συχνότητα | 720MHz ~ 960MHz |
Τρέχουσα βαθμολογία (ενισχυτές) | 10µA |
Τρέχουσες - Test | 400 mA |
Αριθμός προϊόντος βάσης | A2V09 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
A2V09H525-04NR6
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGRNXP USA Inc. -
PTFA092213FLV5R250XTMA1
IC FET RF LDMOS H-34288-6Infineon Technologies -
A2V07H525-04NR6
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGRNXP USA Inc. -
ATF-52189-TR2
FET RF 7V 2GHZ SOT-89Broadcom Limited -
MRF137
FET RF 65V 400MHZ 211-07MACOM Technology Solutions -
A2V07H400-04NR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTONXP USA Inc. -
SD57030-01
FET RF 65V 945MHZ M250STMicroelectronics -
A2V09H400-04SR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTONXP USA Inc. -
PD55008TR
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10STMicroelectronics -
MRF18060ALR3
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780NXP USA Inc. -
BLC9G10XS-120AY
RF LDMOS TRANS 120W SOT1273Ampleon USA Inc. -
A2V-76
76-ELEMENT SILICON PHOTODIODE AROSI Optoelectronics, Inc. -
A2V09H400-04NR3
Airfast RF Power LDMOS TransistoNXP Semiconductors -
BLC2425M8LS300PY
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501Ampleon USA Inc. -
NE3210S01
FET RF 4V 12GHZ S01CEL -
1012GN-800V
TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800W,Microchip Technology -
A2V-16
16-ELEMENT SILICON PHOTODIODE AROSI Optoelectronics, Inc. -
NE5550234-AZ
FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLDCEL -
PTFA212001FV4R250XTMA1
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2Infineon Technologies -
A2V09H400-04NR3528
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNXP USA Inc.