BLA6G1011LS-200RG11
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BLA6G1011LS-200RG11 |
---|---|
Κατασκευαστής | NXP USA Inc. |
Λεπτομερής περιγραφή | POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 ( |
Πακέτο | Bulk |
Σε απόθεμα | 275 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 |
---|
$148.036 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 275 κομμάτια του NXP USA Inc. BLA6G1011LS-200RG11 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Σειρά | * |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Πακέτο | Bulk |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BLA31BD102SN4D
FERRITE BEAD 1K OHM 1206 4LNMurata Electronics -
BLA31BD121SN4D
FERRITE BEAD 120 OHM 1206 4LNMurata Electronics -
BLA6H0912L-1000U
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539AAmpleon USA Inc. -
BLA31BD471SN4D
FERRITE BEAD 470 OHM 1206 4LNMurata Electronics -
BLA6H1011-600
RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILINXP USA Inc. -
BLA31BD601SN4D
FERRITE BEAD 600 OHM 1206 4LNMurata Electronics -
BLA8G1011L-300U
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502AAmpleon USA Inc. -
BLA31BD221SN4D
FERRITE BEAD 220 OHM 1206 4LNMurata Electronics -
BLA6H0912LS-1000U
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539BAmpleon USA Inc. -
BLA6H1011-600,112
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539AAmpleon USA Inc. -
BLA6G1011LS-200RG,
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502CAmpleon -
BLA6H1011-600,112
TRANS AVIONICS PWR LDMOS SOT539ANXP USA Inc. -
BLA31AG601SN4D
FERRITE BEAD 600 OHM 1206 4LNMurata Electronics -
BLA6G1011L-200RG,1
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502DAmpleon USA Inc. -
BLA6H0912-500112
BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS RNXP USA Inc. -
BLA6H0912-500,112
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634AAmpleon USA Inc. -
BLA8G1011L-300GU
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502AAmpleon USA Inc. -
BLA6G1011L-200RG112
POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (NXP USA Inc. -
BLA6H1011-600,112-AMP
RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILIAmpleon USA Inc. -
BLA6G1011-200R,112
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502AAmpleon USA Inc.