MRF6V2010NR1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | MRF6V2010NR1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | NXP USA Inc. |
| Λεπτομερής περιγραφή | FET RF 110V 220MHZ TO270-2 |
| Πακέτο | TO-270-2 |
| Σε απόθεμα | 3798 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Mult Dev 25/May/2020Mult Dev EOL 24/Sep/2020All Dev Label Update 15/Dec/2020Mult Dev Pkg Seal 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 3798 κομμάτια του NXP USA Inc. MRF6V2010NR1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Τάσης - Test | 50 V |
| Τάση - Ονομαστική | 110 V |
| Τεχνολογία | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-270-2 |
| Σειρά | - |
| Ισχύς - εξόδου | 10W |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-270AA |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θόρυβος Εικόνα | - |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Κέρδος | 23.9dB |
| Συχνότητα | 220MHz |
| Τρέχουσα βαθμολογία (ενισχυτές) | - |
| Τρέχουσες - Test | 30 mA |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | MRF6 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
MRF6V14300HSR3
FET RF 100V 1.4GHZ NI780SNXP USA Inc. -
MRF6V2300NR1
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-Freescale Semiconductor -
MRF6V14300HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFreescale Semiconductor -
MRF6V2300NBR1
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4NXP USA Inc. -
MRF6V2150NBR5
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-Freescale Semiconductor -
MRF6V2150NR1
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-NXP USA Inc. -
MRF6V2150NBR5
FET RF 110V 220MHZ TO272-4NXP USA Inc. -
MRF6V14300HSR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFreescale Semiconductor -
MRF6V14300HS
FET RF 100V 1.4GHZ NI780SFreescale Semiconductor -
MRF6V2150NBR1
Lateral N-Channel Single-Ended BNXP Semiconductors -
MRF6V2010NR1528
RF Power Field-Effect TransistorNXP Semiconductors -
MRF6V2300NR1
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4NXP USA Inc. -
MRF6V14300HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI-780SNXP USA Inc. -
MRF6V2010NBR1
FET RF 110V 220MHZ TO272-2NXP USA Inc. -
MRF6V2300NBR5,578
LATERAL N CHANNEL SINGLE-ENDED BNXP USA Inc. -
MRF6V2010NBR5
FET RF 110V 220MHZ TO-272-2NXP USA Inc. -
MRF6V2300NBR5
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4NXP USA Inc. -
MRF6V14300MSR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFreescale Semiconductor -
MRF6V2010GNR1
FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2NXP USA Inc. -
MRF6V2010GNR5
FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2NXP USA Inc.