PH9030AL115

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	PH9030AL115
Κατασκευαστής	NXP USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Πακέτο	LFPAK56, Power-SO8
Σε απόθεμα	3826 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 3826 κομμάτια του NXP USA Inc. PH9030AL115 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	LFPAK56, Power-SO8
Σειρά	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	-
Συσκευασία / υπόθεση	SC-100, SOT-669
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1006 pF @ 12 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	17.8 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	61A (Tc)