PSMN7R8-120ESQ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	PSMN7R8-120ESQ
Κατασκευαστής	NXP USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Πακέτο	I2PAK
Σε απόθεμα	106013 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

278
$0.398

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 106013 κομμάτια του NXP USA Inc. PSMN7R8-120ESQ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I2PAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	349W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	9473 pF @ 60 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	167 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	120 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	PSMN7R8