Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N8026-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

Αριθμός μέρους κατασκευαστή 1N8026-GA
Κατασκευαστής GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Πακέτο TO-257
Σε απόθεμα 5863 pcs
Φύλλο δεδομένων 1N8026-GA
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς GeneSiC Semiconductor.Έχουμε τα 5863 κομμάτια του GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν 1.6 V @ 2.5 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) 1200 V
Τεχνολογία SiC (Silicon Carbide) Schottky
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-257
Ταχύτητα No Recovery Time > 500mA (Io)
Σειρά -
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) 0 ns
Συσκευασία / υπόθεση TO-257-3
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση -55°C ~ 250°C
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr 10 µA @ 1200 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) 8A
Χωρητικότητα @ VR, F 237pF @ 1V, 1MHz
Αριθμός προϊόντος βάσης 1N8026

Συνιστώμενα προϊόντα

1N8026-GA Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το 1N8026-GA

Σχετικά μέρη για το 1N8026-GA