Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > G2R50MT33K
GeneSiC Semiconductor

G2R50MT33K

Αριθμός μέρους κατασκευαστή G2R50MT33K
Κατασκευαστής GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Πακέτο TO-247-4
Σε απόθεμα 456 pcs
Φύλλο δεδομένων G2R50MT33K
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10
$106.185 $101.454
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς GeneSiC Semiconductor.Έχουμε τα 456 κομμάτια του GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA (Typ)
Vgs (Max) +25V, -10V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247-4
Σειρά G2R™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max) 536W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-4
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 7301 pF @ 1000 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 340 nC @ 20 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό Standard
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 3300 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

G2R50MT33K Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το G2R50MT33K

Σχετικά μέρη για το G2R50MT33K