Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > G3R30MT12K
GeneSiC Semiconductor

G3R30MT12K

Αριθμός μέρους κατασκευαστή G3R30MT12K
Κατασκευαστής GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Πακέτο TO-247-4
Σε απόθεμα 6173 pcs
Φύλλο δεδομένων G3R30MT12K
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 25 100 250 500
$8.869 $8.15 $7.879 $7.487 $7.239 $7.209
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς GeneSiC Semiconductor.Έχουμε τα 6173 κομμάτια του GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.69V @ 12mA
Vgs (Max) ±15V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247-4
Σειρά G3R™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 50A, 15V
Έκλυση ενέργειας (Max) 400W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-4
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3901 pF @ 800 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 155 nC @ 15 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 15V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης G3R30

Συνιστώμενα προϊόντα

G3R30MT12K Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων