GB02SHT01-46
Αριθμός μέρους κατασκευαστή
GB02SHT01-46
Κατασκευαστής
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή
DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Πακέτο
TO-46
Σε απόθεμα
3427 pcs
Φύλλο δεδομένων
GB02SHT01-46
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1
10
100
$16.735
$15.614
$13.616
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς GeneSiC Semiconductor.Έχουμε τα 3427 κομμάτια του GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
1.6 V @ 1 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
100 V
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
TO-46
Ταχύτητα
No Recovery Time > 500mA (Io)
Σειρά
-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
0 ns
Συσκευασία / υπόθεση
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Πακέτο
Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
-55°C ~ 210°C
τοποθέτηση Τύπος
Through Hole
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
5 µA @ 100 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
4A
Χωρητικότητα @ VR, F
76pF @ 1V, 1MHz
Αριθμός προϊόντος βάσης
GB02SHT01
Συνιστώμενα προϊόντα
GB015Z220KA6N
CAP CER
KYOCERA AVX
GB024D2
RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 24V
Macromatic Industrial Controls
GB02SHT06-46
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
GeneSiC Semiconductor
GB0360007
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
Diodes Incorporated
GB0400003
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
Diodes Incorporated
GB0360014
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
Diodes Incorporated
GB02SLT12-214
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-220
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-252
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
GeneSiC Semiconductor
GB024D3
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
Macromatic Industrial Controls
GB01SLT12-220
DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-214
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT03-46
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
GeneSiC Semiconductor
GB0259821KN6N
CAP CER
KYOCERA AVX
GB01SLT12-252
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
GeneSiC Semiconductor
GB024D4
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
Macromatic Industrial Controls
GB02SLT06-214
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
GeneSiC Semiconductor
GB025Z101KA6N
CAP CER
KYOCERA AVX
GB01SLT06-214
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
GB0359152KA6N
CAP CER
KYOCERA AVX
GB02SHT01-46 Φύλλο δεδομένων PDF
Φύλλο δεδομένων
Αναζήτηση αρχείου δελτίου δεδομένων