G01N20LE

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G01N20LE
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Πακέτο	SOT-23-3
Σε απόθεμα	1391004 pcs
Φύλλο δεδομένων	G01N20LE

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000	15000	30000	51000
$0.032	$0.029	$0.026	$0.024

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 1391004 κομμάτια του Goford Semiconductor G01N20LE σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-23-3
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850mOhm @ 1.7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.5W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	12 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1.7A (Tc)