G04P10HE

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G04P10HE
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Πακέτο	SOT-223
Σε απόθεμα	1158403 pcs
Φύλλο δεδομένων	G04P10HE

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

2500	15000	30000	50000
$0.048	$0.045	$0.04	$0.037

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 1158403 κομμάτια του Goford Semiconductor G04P10HE σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-223
Σειρά	G
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.2W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1647 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	25 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)