Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > G08N02H
Goford Semiconductor

G08N02H

Αριθμός μέρους κατασκευαστή G08N02H
Κατασκευαστής Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Πακέτο SOT-223
Σε απόθεμα 847074 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
2500
$0.044
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 847074 κομμάτια του Goford Semiconductor G08N02H σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή SOT-223
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 12.5 nC @ 4.5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

G08N02H Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το G08N02H

Σχετικά μέρη για το G08N02H