G130N06M

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G130N06M
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Πακέτο	TO-263
Σε απόθεμα	394225 pcs
Φύλλο δεδομένων	G130N06M

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1600	8000	16000	32000	48000
$0.128	$0.123	$0.118	$0.106	$0.099

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 394225 κομμάτια του Goford Semiconductor G130N06M σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-263
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	85W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2867 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	36.6 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)