G250N03IE

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G250N03IE
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Πακέτο	SOT-23-3
Σε απόθεμα	4061017 pcs
Φύλλο δεδομένων	G250N03IE

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000	15000	30000	51000
$0.014	$0.013	$0.012	$0.011

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 4061017 κομμάτια του Goford Semiconductor G250N03IE σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-23-3
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.4W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	573 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	9.1 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.3A (Tc)