Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GT10N10
Goford Semiconductor

GT10N10

Αριθμός μέρους κατασκευαστή GT10N10
Κατασκευαστής Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Πακέτο TO-252
Σε απόθεμα 1174991 pcs
Φύλλο δεδομένων GT10N10
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
2500 15000 30000 50000
$0.047 $0.043 $0.039 $0.036
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 1174991 κομμάτια του Goford Semiconductor GT10N10 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-252
Σειρά GT
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 3.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 17W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

GT10N10 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων