HUF75309D3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	HUF75309D3
Κατασκευαστής	Harris Corporation
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο	I-PAK
Σε απόθεμα	6400 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Harris Corporation.Έχουμε τα 6400 κομμάτια του Harris Corporation HUF75309D3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I-PAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 17A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	45W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	24 nC @ 20 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)