Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFK30N110P
IXYS

IXFK30N110P

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXFK30N110P
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA
Πακέτο TO-264AA (IXFK)
Σε απόθεμα 5113 pcs
Φύλλο δεδομένων IXF(K,X)30N110P
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 5113 κομμάτια του IXYS IXFK30N110P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-264AA (IXFK)
Σειρά HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 960W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-264-3, TO-264AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 235 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXFK30

Συνιστώμενα προϊόντα

IXFK30N110P Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων