Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFN170N65X2
IXYS

IXFN170N65X2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXFN170N65X2
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Πακέτο SOT-227B
Σε απόθεμα 2319 pcs
Φύλλο δεδομένων IXFN170N65X2
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100
$19.556 $18.244 $15.841
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 2319 κομμάτια του IXYS IXFN170N65X2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή SOT-227B
Σειρά HiPerFET™, Ultra X2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 85A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1170W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Chassis Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 27000 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 434 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXFN170

Συνιστώμενα προϊόντα

IXFN170N65X2 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το IXFN170N65X2

Σχετικά μέρη για το IXFN170N65X2