Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFN50N80Q2
IXYS

IXFN50N80Q2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXFN50N80Q2
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Πακέτο SOT-227B
Σε απόθεμα 2212 pcs
Φύλλο δεδομένων IXFN50N80Q2
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
10
$15.682
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 2212 κομμάτια του IXYS IXFN50N80Q2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή SOT-227B
Σειρά HiPerFET™, Q2 Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1135W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Chassis Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 260 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXFN50

Συνιστώμενα προϊόντα

IXFN50N80Q2 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων