Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3 Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IXFT18N100Q3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXFT18N100Q3
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Πακέτο TO-268AA
Σε απόθεμα 5702 pcs
Φύλλο δεδομένων IXFx18N100Q3
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
30
$7.497
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 5702 κομμάτια του IXYS IXFT18N100Q3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-268AA
Σειρά HiPerFET™, Q3 Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 830W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 4890 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 90 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1000 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXFT18

Συνιστώμενα προϊόντα

IXFT18N100Q3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων