Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTA1R4N120P
IXTA1R4N120P Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IXTA1R4N120P

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXTA1R4N120P
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Πακέτο TO-263AA
Σε απόθεμα 39558 pcs
Φύλλο δεδομένων IXT(Y,A,P)1R4N120P
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$2.083 $1.869 $1.531 $1.304 $1.1 $1.045
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 39558 κομμάτια του IXYS IXTA1R4N120P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-263AA
Σειρά Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 86W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 666 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXTA1

Συνιστώμενα προϊόντα

IXTA1R4N120P Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων