Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IXTP110N12T2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IXTP110N12T2
Κατασκευαστής	IXYS
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Πακέτο	TO-220-3
Σε απόθεμα	4753 pcs
Φύλλο δεδομένων	IXT(A,P)110N12T2

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 4753 κομμάτια του IXYS IXTP110N12T2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220-3
Σειρά	TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 55A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	517W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	6570 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	120 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	120 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IXTP110