Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IXTP1R4N120P

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXTP1R4N120P
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB
Πακέτο TO-220-3
Σε απόθεμα 33306 pcs
Φύλλο δεδομένων IXT(Y,A,P)1R4N120P
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$2.095 $1.883 $1.543 $1.313 $1.108 $1.052
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 33306 κομμάτια του IXYS IXTP1R4N120P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220-3
Σειρά Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 86W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 666 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXTP1

Συνιστώμενα προϊόντα

IXTP1R4N120P Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων