Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTT110N10P
IXTT110N10P Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IXTT110N10P

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXTT110N10P
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Πακέτο TO-268AA
Σε απόθεμα 15343 pcs
Φύλλο δεδομένων IXT(Q,T)110N10P
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
30
$2.981
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 15343 κομμάτια του IXYS IXTT110N10P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-268AA
Σειρά Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 480W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 110 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXTT110

Συνιστώμενα προϊόντα

IXTT110N10P Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων