Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > MCB60I1200TZ
IXYS

MCB60I1200TZ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή MCB60I1200TZ
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή 1200V 90A SIC POWER MOSFET
Πακέτο TO-268AA (D3Pak-HV)
Σε απόθεμα 5735 pcs
Φύλλο δεδομένων MCB60I1200TZ Datasheet
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 5735 κομμάτια του IXYS MCB60I1200TZ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15mA
Vgs (Max) +20V, -5V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-268AA (D3Pak-HV)
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max) -
Συσκευασία / υπόθεση TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 160 nC @ 20 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης MCB60I1200

Συνιστώμενα προϊόντα

MCB60I1200TZ Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων