W6672TE350
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | W6672TE350 |
---|---|
Κατασκευαστής | IXYS |
Λεπτομερής περιγραφή | DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A - |
Πακέτο | TO-200AF |
Σε απόθεμα | 5246 pcs |
Φύλλο δεδομένων | W6672Tx320-350 Datasheet Prelim~ |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 5246 κομμάτια του IXYS W6672TE350 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 1.37 V @ 5000 A |
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 1900 V |
Τεχνολογία | Standard |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-200AF |
Ταχύτητα | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Σειρά | - |
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) | 52 µs |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-200AF |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Πακέτο | Box |
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -40°C ~ 160°C |
τοποθέτηση Τύπος | Chassis Mount |
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 100 mA @ 1900 V |
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) | 6672A |
Χωρητικότητα @ VR, F | - |
Αριθμός προϊόντος βάσης | W6672 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
W66BP6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ320
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -IXYS -
W66BL6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TE320
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -IXYS -
W66BM6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BM6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics