Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT1001R1BN
Microchip Technology

APT1001R1BN

Αριθμός μέρους κατασκευαστή APT1001R1BN
Κατασκευαστής Microchip Technology
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Πακέτο TO-247AD
Σε απόθεμα 4692 pcs
Φύλλο δεδομένων Integration 13/May/2020Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSLegacy Prod EOL 1/Mar/2017APT1001R1BN, APT1001R3BN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Microchip Technology.Έχουμε τα 4692 κομμάτια του Microchip Technology APT1001R1BN σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247AD
Σειρά POWER MOS IV®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5.25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 310W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 130 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1000 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

APT1001R1BN Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων