Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση. Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.
JAN1N5415US
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Microchip Technology.Έχουμε τα 10905 κομμάτια του Microchip Technology JAN1N5415US σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
1.5 V @ 9 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
50 V
Τεχνολογία
Standard
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
B, Axial
Ταχύτητα
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Σειρά
Military, MIL-PRF-19500/411
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
150 ns
Συσκευασία / υπόθεση
B, Axial
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Πακέτο
Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
-65°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος
Through Hole
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
1 µA @ 50 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
3A
Χωρητικότητα @ VR, F
-
Αριθμός προϊόντος βάσης
1N5415
Συνιστώμενα προϊόντα
JAN1N5415US/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A
Microchip Technology
JAN1N5313UR-1
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5417/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A
Microchip Technology
JAN1N5416/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A
Microchip Technology
JAN1N5313UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5314-1/TR
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5418
DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5417US
DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5314UR-1
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5415
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5417
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5314-1
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5415/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A
Microchip Technology
JAN1N5416US/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A
Microchip Technology
JAN1N5314UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5313-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5417US/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5416
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5313-1
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5416US
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5415US Φύλλο δεδομένων PDF
Φύλλο δεδομένων
Αναζήτηση αρχείου δελτίου δεδομένων