JAN1N5807US
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | JAN1N5807US |
---|---|
Κατασκευαστής | Microchip Technology |
Λεπτομερής περιγραφή | DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF |
Πακέτο | B, SQ-MELF |
Σε απόθεμα | 11384 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
100 |
---|
$3.569 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Microchip Technology.Έχουμε τα 11384 κομμάτια του Microchip Technology JAN1N5807US σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 875 mV @ 4 A |
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 50 V |
Τεχνολογία | Standard |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | B, SQ-MELF |
Ταχύτητα | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Σειρά | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) | 30 ns |
Συσκευασία / υπόθεση | SQ-MELF, B |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Πακέτο | Bulk |
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -65°C ~ 175°C |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 5 µA @ 50 V |
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) | 6A |
Χωρητικότητα @ VR, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Αριθμός προϊόντος βάσης | 1N5807 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
JAN1N5809/TR
DIODE GEN PURP 100V 6AMicrochip Technology -
JAN1N5807URS/TR
UFR,FRRMicrochip Technology -
JAN1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JAN1N5807
DIODE GEN PURP 50V 6A AXIALMicrochip Technology -
JAN1N5806US/TR
DIODE GEN PURP 150V 2.5A D-5AMicrochip Technology -
JAN1N5806URS/TR
UFR,FRRMicrochip Technology -
JAN1N5809US/TR
DIODE GP 100V 3A SQ-MELF BMicrochip Technology -
JAN1N5809URS
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JAN1N5811URS
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JAN1N5807/TR
DIODE GEN PURP 50V 6AMicrochip Technology -
JAN1N5811/TR
DIODE GEN PURP 150V 6AMicrochip Technology -
JAN1N5809
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIALMicrochip Technology -
JAN1N5806/TR
DIODE GEN PURP 150V 2.5AMicrochip Technology -
JAN1N5811
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIALMicrochip Technology -
JAN1N5807URS
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JAN1N5806US
DIODE GEN PURP 150V 2.5A D-5AMicrochip Technology -
JAN1N5809URS/TR
UFR,FRRMicrochip Technology -
JAN1N5806URS
DIODE GEN PURP 150V 1A A-MELFMicrochip Technology -
JAN1N5806
DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIALMicrochip Technology -
JAN1N5807US/TR
UFR,FRRMicrochip Technology