Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > JAN2N6766
Microsemi Corporation

JAN2N6766

Αριθμός μέρους κατασκευαστή JAN2N6766
Κατασκευαστής Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Πακέτο TO-3
Σε απόθεμα 5196 pcs
Φύλλο δεδομένων Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSLast Time Buy Revision 08/Jul/2015Multiple Devices 12/Jun/2015
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Microsemi Corporation.Έχουμε τα 5196 κομμάτια του Microsemi Corporation JAN2N6766 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-3
Σειρά Military, MIL-PRF-19500/543
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-204AE
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 115 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

JAN2N6766 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων