Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

PSMN030-150B,118

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	PSMN030-150B,118
Κατασκευαστής	Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	3930 pcs
Φύλλο δεδομένων	Label Chg 12/Mar/2017 All Dev Label Chgs 2/Aug/2020 Mid-Year Product Disc 30/Jun/2017 PSMN030-150B

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Nexperia USA Inc..Έχουμε τα 3930 κομμάτια του Nexperia USA Inc. PSMN030-150B,118 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	250W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3680 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	98 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	150 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	55.5A (Tc)