Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > PSMN130-200D,118-NEX
Nexperia USA Inc.

PSMN130-200D,118-NEX

Αριθμός μέρους κατασκευαστή PSMN130-200D,118-NEX
Κατασκευαστής Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Πακέτο DPAK
Σε απόθεμα 5199 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Nexperia USA Inc..Έχουμε τα 5199 κομμάτια του Nexperia USA Inc. PSMN130-200D,118-NEX σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή DPAK
Σειρά TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 150W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2470 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 65 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

PSMN130-200D,118-NEX Φύλλο δεδομένων PDF