PXN8R3-30QLJ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	PXN8R3-30QLJ
Κατασκευαστής	Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή	PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Πακέτο	MLPAK33
Σε απόθεμα	478577 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022 PXN8R3-30QL

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	25	100	250	500	1000
$0.208	$0.178	$0.166	$0.132	$0.123	$0.104	$0.08

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Nexperia USA Inc..Έχουμε τα 478577 κομμάτια του Nexperia USA Inc. PXN8R3-30QLJ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	MLPAK33
Σειρά	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerVDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	15.9 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	11.4A (Ta), 31A (Tc)