Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RF1S50N06LESM

RF1S50N06LESM

Αριθμός μέρους κατασκευαστή RF1S50N06LESM
Κατασκευαστής Harris Corporation
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο TO-263AB
Σε απόθεμα 86258 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
307
$0.377
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Harris Corporation.Έχουμε τα 86258 κομμάτια του Harris Corporation RF1S50N06LESM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-263AB
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 142W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 120 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

RF1S50N06LESM Φύλλο δεδομένων PDF