RFD7N10LE

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	RFD7N10LE
Κατασκευαστής	Harris Corporation
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο	TO-220-3
Σε απόθεμα	176922 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

606
$0.194

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Harris Corporation.Έχουμε τα 176922 κομμάτια του Harris Corporation RFD7N10LE σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	+10V, -8V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220-3
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 7A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	47W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	150 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)