Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RM12N650T2
Rectron USA

RM12N650T2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή RM12N650T2
Κατασκευαστής Rectron USA
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
Πακέτο TO-220-3
Σε απόθεμα 147769 pcs
Φύλλο δεδομένων RM12N650xx
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
5000
$0.259
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Rectron USA.Έχουμε τα 147769 κομμάτια του Rectron USA RM12N650T2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220-3
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 101W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 50 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 11.5A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

RM12N650T2 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων