Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RM2N650IP
Rectron USA

RM2N650IP

Αριθμός μέρους κατασκευαστή RM2N650IP
Κατασκευαστής Rectron USA
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Πακέτο TO-251
Σε απόθεμα 362956 pcs
Φύλλο δεδομένων RM2N650xx
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
40000
$0.106
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Rectron USA.Έχουμε τα 362956 κομμάτια του Rectron USA RM2N650IP σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-251
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 23W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 50 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

RM2N650IP Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων