RM35N30DN

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	RM35N30DN
Κατασκευαστής	Rectron USA
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN
Πακέτο	8-DFN-EP (3x3)
Σε απόθεμα	503192 pcs
Φύλλο δεδομένων	RM35N30DN

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

25000
$0.094

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Rectron USA.Έχουμε τα 503192 κομμάτια του Rectron USA RM35N30DN σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-DFN-EP (3x3)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	35W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerVDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1265 pF @ 15 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)